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EPC

EPC是增强型氮化镓功率管理器件领域的领导者。该公司率先推出增强型硅基氮化镓(eGaN®)场效应晶体管，可替代功率MOSFET应用于DC-DC转换器、无线充电、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、遥感技术（激光雷达）以及D类音频放大器等领域。其器件性能比最先进的硅基功率MOSFET高出数倍。

EPC是增强型氮化镓功率管理器件领域的领导者。该公司率先推出增强型硅基氮化镓(eGaN®)场效应晶体管，可替代功率MOSFET应用于DC-DC转换器、无线充电、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、遥感技术（激光雷达）以及D类音频放大器等领域。其器件性能比最先进的硅基功率MOSFET高出数倍。

EPC 优势热卖产品

描述

GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE

数量

1600

描述

GANFET N-CH 200V 12A DIE

数量

1600

描述

GANFET N-CH 200V 3A DIE

数量

1600

描述

GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE

数量

1600

描述

GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE

数量

1600

描述

GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE

数量

1600

描述

GANFET N-CH 100V 11A DIE

数量

1600

描述

GANFET N-CH 150V 12A DIE

数量

1600

描述

GANFET N-CH 40V 4A DIE

数量

4154

描述

GANFET N-CH 65V 4A DIE

数量

15642

描述

GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE

数量

11930

描述

GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE

数量

23076

描述

GANFET N-CH 100V 18A DIE

数量

46250

描述

GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE

数量

56638

描述

GANFET N-CH 40V 53A DIE

数量

14886

描述

GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

数量

8710

描述

GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE

数量

4756

描述

GANFET N-CH 100V 4A DIE

数量

12547

描述

GANFET N-CH 80V 90A DIE

数量

4667

描述

GANFET N-CH 30V 60A DIE

数量

3514